多年來(lái)，電磁干擾EMI測(cè)試在當(dāng)代電子控制系統(tǒng)中，效應(yīng)一直是一個(gè)備受關(guān)注的問(wèn)題。特別是在今天的汽車(chē)工業(yè)中，汽車(chē)使用了許多關(guān)鍵和非關(guān)鍵（criTIcalandnon-criTIcal）車(chē)載電子模塊，如模塊管理模塊、防抱死系統(tǒng)、電子動(dòng)力轉(zhuǎn)向程序模塊（electricalpowersteeringfuncTIons），車(chē)內(nèi)娛樂(lè)系統(tǒng)和熱控制器。

同時(shí)，車(chē)輛所處的電磁環(huán)境更為復(fù)雜。車(chē)輛上的電子元件必須與頻射發(fā)射機(jī)共存。其中一些發(fā)射機(jī)安裝和設(shè)置得當(dāng)（例如，在應(yīng)急服務(wù)車(chē)輛中），但有些不是（例如，有些發(fā)射機(jī)在出廠后安裝）CB發(fā)射器和車(chē)載手機(jī))。此外，車(chē)輛將進(jìn)入外部發(fā)射機(jī)產(chǎn)生的一些強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，強(qiáng)度可以達(dá)到每米幾十甚至幾百福特。汽車(chē)行業(yè)多年前就意識(shí)到了各種各樣的問(wèn)題，所有知名廠商都采取了一定的對(duì)策，試圖根據(jù)制定的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和法律規(guī)定，減少電磁干擾的影響。因此，今天的車(chē)輛對(duì)這種干擾有很強(qiáng)的抵抗力。EMI對(duì)車(chē)載模塊的特性影響很大，因此必須重新警惕。

車(chē)輛和零部件的測(cè)試是一個(gè)高度專(zhuān)業(yè)化的行業(yè)，一直由廠家自己進(jìn)行。在一些國(guó)家，許多汽車(chē)制造商會(huì)一起支持這些專(zhuān)業(yè)的測(cè)試實(shí)驗(yàn)室。隨著汽車(chē)中常用的子部件越來(lái)越多，汽車(chē)廠商外包零部件的趨勢(shì)也越來(lái)越明顯，因此，EMC測(cè)試開(kāi)始逐漸成為零部件制造商的義務(wù)。在例如ISO11452(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織)SAEJ1113(汽車(chē)工程師協(xié)會(huì))等國(guó)家汽車(chē)零部件抗擾性試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)的子章節(jié)描述了各種不同的試驗(yàn)方法和試驗(yàn)等級(jí)，頻率重疊。在沒(méi)有任何更高的法律要求的情況下，汽車(chē)制造商可以在這一通用標(biāo)準(zhǔn)的前提下制定其測(cè)試規(guī)定。也就是說(shuō)，當(dāng)一個(gè)汽車(chē)制造商想要制定零部件經(jīng)銷(xiāo)商制定零部件級(jí)別測(cè)試要求時(shí)，他可以選擇合適的賬戶(hù)，包括多種測(cè)試方法、測(cè)試頻率范圍和測(cè)試級(jí)別細(xì)節(jié)，以形成自己的測(cè)試規(guī)范。最后，一個(gè)為許多汽車(chē)制造商提供子零件的制造商可能必須根據(jù)不同的規(guī)格選擇不同的方法，并在相同的頻率范圍內(nèi)測(cè)試相同的零件。

圖1.典型的輻射干擾測(cè)試裝置

為了滿足客戶(hù)的測(cè)試要求，零部件制造商可以采取一系列措施ISO11452和SAEJ1113中包含的RF測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和設(shè)計(jì)的車(chē)輛部件測(cè)試系統(tǒng)幫助完成工作。這種測(cè)試系統(tǒng)通常是自己包含的（self-contained）系統(tǒng)應(yīng)符合所有規(guī)范中規(guī)定的最高級(jí)別測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。選擇該系統(tǒng)后，零件制造商在測(cè)試其多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)使用的許多測(cè)試儀器都是相同的，因此可以節(jié)省大量資金。我們將討論以下類(lèi)別RF測(cè)試方法和汽車(chē)制造商測(cè)試要求中規(guī)定的一些測(cè)試參數(shù)，討論零部件制造商如何根據(jù)不同客戶(hù)的測(cè)試要求構(gòu)建相應(yīng)的測(cè)試系統(tǒng)，從而達(dá)到只測(cè)試必要項(xiàng)目的效果。

幾種RF測(cè)試方法

圖2.電流注入法測(cè)試裝置

如果你想測(cè)試一個(gè)汽車(chē)零件RF抗干擾，需要通過(guò)一種非常方式來(lái)增加與車(chē)內(nèi)干擾的方法RF干擾。這導(dǎo)致了第一個(gè)變量。車(chē)輛可能暴露在場(chǎng)外，也可能攜帶發(fā)射機(jī)和天線，這些發(fā)射機(jī)和天線可能會(huì)產(chǎn)生干擾信號(hào)，但無(wú)論如何，干擾場(chǎng)可以直接應(yīng)用于部件的位置。例如，當(dāng)部件安裝在儀表板上或附近的開(kāi)放區(qū)域時(shí)，它造成的干擾比安裝在車(chē)輛底盤(pán)周?chē)蛟谀K箱中的屏蔽區(qū)域造成的干擾要大得多。另一方面，為了滿足電源和信號(hào)連接的需要，所有電子模塊都連接到車(chē)輛的布線系統(tǒng)。

布線設(shè)備相當(dāng)于一個(gè)高效的天線，可以和RF無(wú)論組件組裝在哪里，干擾藕合，RF電流通過(guò)其連接器傳輸?shù)讲考Ｒ虼耍话悴捎脙煞N試驗(yàn)方法：輻射干擾試驗(yàn)和傳輸干擾試驗(yàn)。

測(cè)試輻射干擾測(cè)試

每種輻射測(cè)試方法也不會(huì)向外部向待測(cè)設(shè)備添加強(qiáng)度以獲得校正RF這樣，就可以了RF電流和電壓和電壓引入裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)RF電流和電壓敏感節(jié)點(diǎn)會(huì)再次出現(xiàn)電流和電壓，從而導(dǎo)致電子電路中的干擾。不同的方法應(yīng)用于RF場(chǎng)的形式各不相同，各有各的優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)和局限性。

微波暗室輻射天線測(cè)量法

形成最簡(jiǎn)潔明了RF場(chǎng)的方法是將動(dòng)能注入天線，并將其偏向待測(cè)設(shè)備（EUT）。天線能夠把RF能量轉(zhuǎn)化為輻射場(chǎng)，使其充滿測(cè)試區(qū)域。因?yàn)楦唠娖奖仨氃诜浅挼念l帶范圍內(nèi)RF信號(hào)測(cè)試需要在一個(gè)屏蔽室內(nèi)進(jìn)行，以防止與周?chē)渌戏ǖ臒o(wú)線電客戶(hù)相互干擾。但是這樣會(huì)引入墻壁的反射，進(jìn)而改變室內(nèi)場(chǎng)的遍布。為了解決這個(gè)問(wèn)題，有必要對(duì)屏蔽室表面進(jìn)行無(wú)線電消音，創(chuàng)造一個(gè)“吸波室（absorberlinedchamber）”環(huán)境，這大大提高了測(cè)試設(shè)備的成本。在測(cè)試過(guò)程中使用的天線應(yīng)具有較寬的頻率響應(yīng)。車(chē)輛測(cè)試中的測(cè)試頻率可能為10kHz到18GHz，因此需要的天線種類(lèi)繁多（見(jiàn)圖1）。另外，加上EUT在場(chǎng)上也要盡量勻稱(chēng)，受到良好的操縱。測(cè)試期間的場(chǎng)地將嚴(yán)重影響暗室的規(guī)格，因此天線不能離開(kāi)EUT太近，專(zhuān)一性不能太強(qiáng)，否則場(chǎng)會(huì)只會(huì)集中在EUT一個(gè)地區(qū)。同時(shí)，天線和EUT距離太近也會(huì)導(dǎo)致兩者之間的相互感覺(jué)擴(kuò)大，從而增加天線上信號(hào)的操縱難度。被測(cè)對(duì)象的物理規(guī)格越多，這個(gè)間距規(guī)定就越難達(dá)到。另外，根據(jù)公式P=（E·r）2/30watts(當(dāng)天線有模塊增益時(shí))，天線離開(kāi)EUT越遠(yuǎn)，做一個(gè)強(qiáng)大的出場(chǎng)需要的功率就越大。

請(qǐng)注意，該公式給出了場(chǎng)強(qiáng)與距離之間的平方率關(guān)聯(lián)，即當(dāng)給出場(chǎng)強(qiáng)之間的距離時(shí)，場(chǎng)強(qiáng)從10V/m擴(kuò)大到20V/m時(shí)，所需功率是原來(lái)的4倍，或現(xiàn)場(chǎng)強(qiáng)度從10倍V/m擴(kuò)大到20V/m在給出功率時(shí)，間距只有原來(lái)的四分之一。EUT通過(guò)各向異性的寬帶場(chǎng)傳感器測(cè)量場(chǎng)強(qiáng)度。各向異性的目的是確保傳感器對(duì)方向不敏感，而寬帶的目的是確保它能夠在每個(gè)頻率下獲得正確的測(cè)量值。

TEM單元法

圖3.干擾直接注入法測(cè)試裝置

依據(jù)ISO11452-3和SAEJ113/24的規(guī)定TEM如果模塊只是一個(gè)簡(jiǎn)單的封閉傳輸線，那么某個(gè)傳輸線將在一端進(jìn)給RF在另一端，功率和一個(gè)負(fù)載阻抗。電磁波在傳輸線中的傳播，在導(dǎo)體之間建立一個(gè)磁場(chǎng)。TEM(即水平電磁波）描述了在這些單元的有效區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的磁場(chǎng)。當(dāng)傳輸線長(zhǎng)度按時(shí)，在一定的橫截面上，場(chǎng)強(qiáng)對(duì)稱(chēng)，且易于測(cè)量或計(jì)算。EUT就放置于TEM單位功效區(qū)。TEM模塊一般以殼體的形式出現(xiàn)，里面有一個(gè)防護(hù)面，外殼的墻作為傳輸線的一端，保護(hù)面(或橫膈膜，septum）作為另一端。TEM單元的幾何結(jié)構(gòu)對(duì)傳輸線的特性阻抗具有決定性的危害。外殼是封閉的，除了很小的泄漏外，模塊外沒(méi)有磁場(chǎng)，所以這類(lèi)模塊可以在所有環(huán)境中使用而不加外屏蔽。其主要缺點(diǎn)是存在頻率限制，這種限制頻率與其物理規(guī)范(見(jiàn)表1)反比。當(dāng)頻率高于此限制時(shí)，高次模和場(chǎng)均勻性開(kāi)始出現(xiàn)在其內(nèi)部磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)中，尤其是TEM諧振頻率的均勻性由單元的準(zhǔn)確規(guī)格決定，也逐漸下降。TEM可以更大地測(cè)量模塊EUT規(guī)格受內(nèi)部可用場(chǎng)強(qiáng)對(duì)稱(chēng)區(qū)域體積的限制，因此規(guī)格較大EUT直接影響模塊的最大頻率。TEM單元的最小測(cè)量頻率可以去DC，這也是它與輻射天線測(cè)量的區(qū)別。

帶狀線法和三平面法

這幾種方法和TEM模塊法有本質(zhì)區(qū)別。TEM模塊化法屬于封閉測(cè)量法，帶狀線法和三平面法采用的測(cè)試裝置為開(kāi)放式傳輸線。換句話說(shuō)，在選擇這兩種方法時(shí)，雖然較大的場(chǎng)地位于平面的中間，但仍然有動(dòng)能輻射到測(cè)試裝置的外部，因此測(cè)試必須在屏蔽室進(jìn)行。ISO11452-5和SAEJ帶狀線測(cè)試均在1113/23中描述，而三平面測(cè)試僅在SAEJ1113/25中提到。

在帶狀線試驗(yàn)中，待測(cè)部件模塊僅與與相關(guān)機(jī)器連接的電纜裝置對(duì)接，不暴露于平面之間最大的場(chǎng)強(qiáng)。作為傳輸線的源導(dǎo)體，帶狀線平面放置在1.5m電纜裝置的下部，測(cè)試的參考平面作為另一端的導(dǎo)體。帶狀線產(chǎn)生的場(chǎng)會(huì)感應(yīng)到電纜裝置中的通向電流，然后蓮藕進(jìn)入EUT。因此，帶狀線試驗(yàn)幾乎是兩種方法的混合：輻射場(chǎng)試驗(yàn)和傳輸試驗(yàn)。

在三平面試驗(yàn)裝置中，一個(gè)有源內(nèi)導(dǎo)體被兩個(gè)外平面夾在中間，產(chǎn)生的阻抗可以通過(guò)測(cè)量獲得。待測(cè)模塊放置在核心導(dǎo)體和一個(gè)外平面之間，核心導(dǎo)體的另一面是空的。因?yàn)樗袦y(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)都是對(duì)稱(chēng)的，所以可以放在空的一側(cè)EUT在鏡像區(qū)域放置一個(gè)場(chǎng)強(qiáng)探頭。TEM與模塊測(cè)試相同，帶狀線測(cè)試和三平面測(cè)試裝置的頻率上限受其規(guī)格限制。當(dāng)其等于或高于由原理規(guī)范確定的諧振頻率時(shí)，將產(chǎn)生不受控制的磁場(chǎng)高次模。與輻射天線法相比，這三種方法的優(yōu)點(diǎn)是，在選擇這三種方法時(shí)，只有少量的功率才能產(chǎn)生比輻射天線法更強(qiáng)的場(chǎng)。因?yàn)閳?chǎng)強(qiáng)度等于導(dǎo)體平面之間的電壓，除了它們之間的距離。

傳導(dǎo)干擾試驗(yàn)

第二種測(cè)試方法稱(chēng)為傳導(dǎo)干擾測(cè)試。它不需要在待測(cè)模塊的位置添加磁場(chǎng)，而是直接將其添加到待測(cè)模塊中RF在電纜裝置或連接待測(cè)部件模塊的裝置中，影響增加。RF電路結(jié)構(gòu)中的電流（如印刷電路板）PCB）在中間傳輸中，組件模塊與外部設(shè)備之間的連接會(huì)產(chǎn)生電流，從而對(duì)電子電路產(chǎn)生影響。雖然這種方法類(lèi)似于輻射場(chǎng)測(cè)試方法，但兩者之間沒(méi)有平等，所以這些方法通常用于進(jìn)行詳細(xì)的測(cè)試，有時(shí)這兩種測(cè)試的頻率類(lèi)別也會(huì)重疊。傳導(dǎo)干擾試驗(yàn)中最常用的兩種蓮花法有電流注入法（bulkcurrentinjecTIon，BCI）和立即注入法，前者應(yīng)向EUT注入影響電流，并控制注入電流的大小，后者注入功率并控制注入功率的大小。

表1.TEM 單元法的頻率上限

電流注入法（BCI）

BCI法在ISO11452-4和SAEJ113/4中有描述。選擇這種方法時(shí)，將電流注入探頭，放在連接待測(cè)部件的電纜裝置上方，然后注入探頭RF影響。這時(shí)，探頭作為第一電流轉(zhuǎn)換器，而電纜裝置作為第二電流轉(zhuǎn)換器，因此，RF電流首先以共模的方式通過(guò)電纜裝置（即電流以相同的方式在裝置的所有導(dǎo)體中流動(dòng)），然后進(jìn)入EUT連接端口。

通過(guò)電流注入裝置的共模阻抗確定了真正流過(guò)的電流，但在低頻下，這幾乎完全是由電流注入裝置的共模阻抗決定的EUT確定與電纜裝置另一端相關(guān)的設(shè)備對(duì)地的阻抗。一旦電纜長(zhǎng)度達(dá)到四分之一波長(zhǎng)，阻抗的變化就變得非常重要，這可能會(huì)降低測(cè)試的準(zhǔn)確性(見(jiàn)圖2)。此外，由于電流注入探頭會(huì)造成損失，因此必須有更大的驅(qū)動(dòng)能力EUT構(gòu)建合理的影響水平。即便如此，BCI法律可能有一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)，那就是它的非侵入性，因?yàn)樘筋^可以簡(jiǎn)單地夾在所有可接受直徑的電纜上，徑的電纜上，并且不需要連接所有直接電纜導(dǎo)線，因此不會(huì)影響電纜連接的工作電路。

立即注入法

BCI法律規(guī)定驅(qū)動(dòng)能力過(guò)高，在測(cè)試環(huán)節(jié)對(duì)相關(guān)機(jī)器的保護(hù)不好。立即注入法的目的是擺脫它BCI這兩個(gè)缺陷。具體方法是直接連接測(cè)試設(shè)備EUT在電纜上，根據(jù)寬帶人力網(wǎng)絡(luò)（BroadbandArtificialNetwork，BAN）將RF功率注入EUT電纜，且不影響EUT與傳感器和負(fù)載的插座(見(jiàn)圖3)BAN在測(cè)試頻率范圍內(nèi)EUT呈現(xiàn)的RF阻抗能量控制。BAN輔助設(shè)備流入方向至少可提供500個(gè)W阻抗阻抗。電磁干擾通過(guò)直接電容，直接耦合到被測(cè)線上。ISO11452-7和SAEJ113/3描述了這種方法。

汽車(chē)部件EMI測(cè)試參數(shù)

在車(chē)輛構(gòu)件EMI在測(cè)試過(guò)程中，根據(jù)不同汽車(chē)制造商提出的不同規(guī)定，除了引入電磁干擾的基本方法不同外，還有許多不同的參數(shù)。RF影響如何造成，這類(lèi)參數(shù)都是相關(guān)的。

頻率范疇

測(cè)試方法本身和常用的換能器（transducer）限制，上述每種方法僅適用于一個(gè)既定的頻率類(lèi)別。表2列出了在相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)中發(fā)布的各種方法的可用頻率類(lèi)別。在測(cè)試過(guò)程中，通常需要在所有頻率范圍內(nèi)掃描測(cè)試信號(hào)，然后檢測(cè)EUT測(cè)試結(jié)論不同于應(yīng)有的功能和性能。如果每次測(cè)試的最小停留時(shí)間一般為2秒，如果EUT時(shí)間常數(shù)很大，停留時(shí)間可能更長(zhǎng)。如果使用軟件控制的測(cè)試信號(hào)發(fā)生器，測(cè)試信號(hào)通常不會(huì)掃描所有頻率類(lèi)別，而是選擇步進(jìn)方法，因此應(yīng)定義頻率步進(jìn)的步幅。保留時(shí)間和頻率步驟取決于執(zhí)行單個(gè)掃描所需的時(shí)間，這也決定了所有測(cè)試所需的時(shí)間。

幅度控制

無(wú)論采用哪種測(cè)試方法，都應(yīng)用于EUT必須小心操作上述測(cè)試信號(hào)的范圍。根據(jù)不同的原理，強(qiáng)度控制方法一般可分為兩種，一種稱(chēng)為閉環(huán)控制法，另一種稱(chēng)為開(kāi)環(huán)控制法。在帶狀線測(cè)試和TEM在模塊測(cè)試中，可以通過(guò)已知的凈輸入功率和傳輸線的參數(shù)來(lái)計(jì)算場(chǎng)。但是，除了這兩種方法外，還應(yīng)使用閉環(huán)方法來(lái)完成強(qiáng)度控制。在輻射干擾試驗(yàn)中，電磁干擾單位選用伏特/米（volts/meter），在電流注入測(cè)試中，企業(yè)選擇微安（milliamps），在即時(shí)功率注入測(cè)試中，企業(yè)選擇瓦特（watts）。

閉環(huán)法

表2.不同測(cè)試方法在不同標(biāo)準(zhǔn)中的適用頻率范圍

在選擇閉環(huán)控制方法時(shí)，一個(gè)場(chǎng)強(qiáng)儀或電流監(jiān)控探頭一直在檢測(cè)和應(yīng)用EUT從而將功率調(diào)整到目標(biāo)。這種方法有一個(gè)問(wèn)題，即EUT干預(yù)打亂了大家作為鼓勵(lì)的磁場(chǎng)，所以找不到一個(gè)能恰當(dāng)反映大家獲得的場(chǎng)強(qiáng)，對(duì)所有類(lèi)型都有影響EUT在微波暗室進(jìn)行輻射干擾試驗(yàn)時(shí)，這一問(wèn)題尤為明顯。促進(jìn)測(cè)試頻率EUT與波長(zhǎng)相比，規(guī)格和波長(zhǎng)可能會(huì)在某些部位大幅下降。如果場(chǎng)強(qiáng)儀正好放在這樣的位置，那么當(dāng)我們根據(jù)場(chǎng)強(qiáng)儀的讀數(shù)來(lái)維持所需的電磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，肯定會(huì)在EUT周?chē)恢迷斐蓢?yán)重過(guò)度測(cè)量（over-testing）。BCI當(dāng)測(cè)試中存在類(lèi)似問(wèn)題時(shí)，EUT當(dāng)共模輸入阻抗與測(cè)試信號(hào)共振時(shí)，需要維持的電流會(huì)導(dǎo)致過(guò)度測(cè)試（over-testing）。事實(shí)上，在這樣的環(huán)境下，很多時(shí)候放大器不能提供所需的電平，一旦放大器負(fù)載，就會(huì)造成更多的測(cè)試問(wèn)題。

開(kāi)環(huán)法

選擇開(kāi)環(huán)法可以避免上述問(wèn)題。開(kāi)環(huán)法有時(shí)也稱(chēng)為置換法。選擇開(kāi)環(huán)法時(shí)，首先將強(qiáng)度明確的信號(hào)送到測(cè)試設(shè)備進(jìn)行校正設(shè)置。在每個(gè)頻率上，放大器的導(dǎo)出功率由輔助功率計(jì)監(jiān)控，當(dāng)放大器的輸出電平達(dá)到目標(biāo)時(shí)記錄。最后，在真實(shí)測(cè)試中，嚴(yán)格重放預(yù)校正的功率記錄。一般來(lái)說(shuō)，由于施加在施加中EUT上場(chǎng)或電流（voltspermeter或milliamps）測(cè)量不在測(cè)試要求范圍內(nèi)，因此開(kāi)環(huán)法不測(cè)量它們，只監(jiān)督它們，以確保系統(tǒng)正常工作。但由于上節(jié)提到的原因，我們看不到真正正確的測(cè)量值。在輻射干擾試驗(yàn)中，校正設(shè)置過(guò)程要求EUT在微波暗室應(yīng)占據(jù)的準(zhǔn)確位置放置場(chǎng)強(qiáng)儀。但在傳導(dǎo)干擾測(cè)試中，校正設(shè)備是阻抗值給出的負(fù)荷，每個(gè)人都在兩側(cè)測(cè)量功率或電流。開(kāi)環(huán)法常用的功率參數(shù)包括凈功率，或輸入換能器的前向功率與換能器反射的反向功率的差異。假設(shè)沒(méi)有其他重要消耗，這個(gè)誤差就等于真正送進(jìn)去EUT的功率。因此，在使用立即耦合器時(shí)，一定要在每個(gè)頻率上測(cè)量?jī)蓚€(gè)功率。此時(shí)，可以用功率計(jì)測(cè)量耦合器的前向?qū)С龊头聪蜉敵?，也可以用兩個(gè)功率計(jì)同時(shí)測(cè)量。凈功率用于表示換能器的電壓駐波比（VSWR），因?yàn)楫?dāng)引進(jìn)EUT時(shí)VSWR會(huì)有變化。但當(dāng)EUT與測(cè)試設(shè)備嚴(yán)格匹配時(shí)，保持凈功率所需的前向功率可能比校正所需的功率發(fā)生較大變化。為防止過(guò)度測(cè)量，為保持需要凈功率而增加的前向功率不得超過(guò)2dB，即便2dB不能滿足要求，也不能再擴(kuò)大，只能記錄在測(cè)試報(bào)告中。

調(diào)配頻率和深度

每一個(gè)RF抗擾性測(cè)試應(yīng)在每個(gè)頻率對(duì)抗EUT施加CW(未調(diào)連續(xù)波)和已調(diào)連續(xù)波)AM信號(hào)，而EUT回應(yīng)通常更容易受到調(diào)整的影響。一般情況下，測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的調(diào)配信號(hào)均為80%，頻率為1kHz正弦波。但也有一些車(chē)輛制造商可能有不同的規(guī)定。定義部署參數(shù)的目的是為了定義部署參數(shù)。AM和CW測(cè)試需要一個(gè)恒定的峰值電平。這與商業(yè)有關(guān)。（IEC61000-4系列）RF不同的抗擾性測(cè)試。在商業(yè)上。RF在抗擾測(cè)試中，調(diào)配信號(hào)的峰值功率比未調(diào)整信號(hào)高5.3dB。但在恒定峰值電平測(cè)試中，調(diào)配深度為80%的已調(diào)信號(hào)功率僅為未調(diào)信號(hào)功率的0.407倍。ISO11452中明確界定了此類(lèi)信號(hào)的施加過(guò)程：

●在每個(gè)頻點(diǎn)，線形或大部分?jǐn)U大信號(hào)強(qiáng)度，直到信號(hào)強(qiáng)度滿足要求（開(kāi)環(huán)法凈功率滿足要求，閉環(huán)法測(cè)試信號(hào)電平嚴(yán)格滿足要求）2dB規(guī)則檢測(cè)前向功率。

●按要求施加已調(diào)信號(hào)，保持測(cè)試信號(hào)等于EUT最小響應(yīng)時(shí)間。

●慢慢降低測(cè)試信號(hào)強(qiáng)度，然后進(jìn)行下一次頻率測(cè)試。

檢測(cè)EUT

施加測(cè)試信號(hào)時(shí)，一定要進(jìn)行測(cè)試EUT回應(yīng)，并與性能規(guī)則進(jìn)行比較，確認(rèn)待測(cè)部件是否按測(cè)試進(jìn)行。由于不同的原因。EUT功能和性能規(guī)則必須不同，因此不可能總結(jié)這些監(jiān)管方法。如果測(cè)試軟件能夠自動(dòng)執(zhí)行部分或全部測(cè)試工作，則所有測(cè)試都將更加簡(jiǎn)單和可靠。測(cè)試過(guò)程可能只需要簡(jiǎn)單地測(cè)量和記錄每個(gè)頻率點(diǎn)的輸出電壓，也可能涉及到一些特殊的EUT在測(cè)試中發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤時(shí)，可以識(shí)別軟件。

報(bào)告測(cè)試結(jié)果

在EMI測(cè)試中，EUT經(jīng)過(guò)觀察，測(cè)試工程師的工作只完成了一半。然后他或她必須按照車(chē)輛制造商規(guī)定的格式建立測(cè)試報(bào)告。一個(gè)零部件制造商可能會(huì)為多個(gè)汽車(chē)制造商提供商品，因此對(duì)于同一組測(cè)試，零部件制造商可能需要提交各種格式的測(cè)試報(bào)告。一些程序包包含可選的報(bào)告形成模塊，可以為不同的汽車(chē)制造商提供標(biāo)準(zhǔn)的報(bào)告模板。雖然大多數(shù)測(cè)試工程師都喜歡測(cè)試過(guò)程，但很少有人喜歡寫(xiě)測(cè)試報(bào)告，所以所有的測(cè)試實(shí)驗(yàn)室主管都明白，為用戶(hù)提供測(cè)試報(bào)告是最困難的任務(wù)。通過(guò)自動(dòng)報(bào)告形成軟件模塊，不僅測(cè)試工程師不必承擔(dān)編寫(xiě)測(cè)試報(bào)告的痛苦，而且可以快速滿足客戶(hù)的要求。一般來(lái)說(shuō)，盡管汽車(chē)行業(yè)的組件EMC測(cè)試包含許多可變參數(shù)，我們?nèi)匀豢梢愿鶕?jù)不同的汽車(chē)制造商進(jìn)行高效的覆蓋范圍。